Physikalisches Labor für Analytik und Beratung |
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Analyse von Kundenrückläufen, Zuverlässigkeits- /Yield und "Burn-in" - Ausfällen |
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Elektrische Verifikation der Ausfälle
Röntgen (X-Ray) - Mikrofokus Inspektion
Ultraschall-Mikroskopie
Querschnitte und partielles Öffnen
Optische Inspektion und Dokumentation
Emissions-Mikroskopie (Vorder- und Rückseite) |
Analysetechniken und Messungen für die Wafer Fab |
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Spreading Resistance Ladungsträgerprofilmessungen
Trägerlebensdauermessungen (TAU, WT85)
Hochauflösende Röntgendiffraktometrie
HAZE, DLTS und IR-Spektroskopie |
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Elektronenmikroskopie und Focused Ion Beam (FIB) |
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FESEM-Analysen für TD und Fab-Engineering
REM fürs Backend und gehäuserelevante Probleme
Materialanalysen mit EDX und WDX im Mikrobereich
FIB-Modifikationen von fertigen ICs
(Trennen von Leitbahnen, Öffnen von Pads, Abscheiden neuer Leitbahnen) |
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